Samsung ha desvelado detalles de su nueva memoria móvil DRAM de 1 gigabite, que contará con interfaz de entrada y salida, y ofrece una velocidad de transferencia de datos de hasta 12,8 GB/s.
Hablamos de un producto orientado a su uso en dispositivos como como tabletas y smartphones, y que ha sido construido con tecnología de 50 nanómetros.
Según los datos que aporta Samsung, la nueva memoria DRAM puede trasmitir datos a una velocidad de hasta 12,8 GB/s, lo que la sitúa muy por encima de las anteriores memorias móviles de la marca como es el caso de los módulos DDR DRAM, que apenas llegan a los 1,8GB/s, y de los LPDDR2 DRAM, que alcanzan los 3,2GB/s.
En lo que respecta al consumo de energía de la memoria, Samsung asegura que ha logrado reducirlo en alrededor del 87 por ciento.
Además, gracias al empleo de 512 pines para la salida y entrada de datos, la empresa coreana ha logrado aumentar el rendimiento en las nuevas memorias.
La compañía tecnológica también ha afirmado que en 2013 espera poder ofrecer memorias DRAM móviles con 4Gb de capacidad.
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