En el momento en que los precios de los módulos de memoria se han reducido en un 50% en el último semestre, Samsung que quiere ser líder en muchos campos. Para demostrarlo en la fabricación de memorias, hoy mostró un módulo de memoria DDR4 de 2 GB de capacidad, con velocidad inicial de 2,133 GHz contra 1,6 GHz de la DDR3. El tope de velocidad será de 4 GHz. La tecnología de fabricación es de 30 nanómetros. Opera con un voltaje de 1,2 voltios en comparación de 1,5 voltios que utiliza la memoria DDR3. Al utilizar la tecnología Pseudo Open Drain –POD-, la corriente que consume es 40% menor a la requerida por la memoria DDR3. Es el primer módulo DDR4 que se conoce de la norma que debe ser aprobada en la segunda mitad del 2011. Samsung espera iniciar su producción en el primer trimestre de 2012. Dong Soo Jun -presidente de Memorias de Samsung, comentó: “La nueva DRAM DDR4 de Samsung es constructora mayor confianza aún en nuestra memoria borde verde. Sobre todo cuando se introduzcan los productosDDR4 basado en 4 GB con tecnología de proceso de fabricación de nueva generación”.
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