El grafeno ya tiene un rival como futuro sustituto del silicio, para ser empleado en la fabricación de circuitos integrados. Se trata de la molibdenita, un tipo de mineral cuyas propiedades se investigan en el Instituto Federal Suizo de Tecnología de Lausanne.
El nuevo material permitiría solventar una de las dificultades intrínsecas del proceso de producción de componentes electrónicos. Los científicos del Instituto Federal Suizo de Tecnología de Lausanne han sido los primeros en crear circuitos integrados utilizando láminas de molibdenita (MoS2). La ventaja principal respecto al grafeno de este material es su capacidad para pasar de un estado de conductor a no conductor de la electricidad.
El grafeno en cambio no tiene esta facilidad para actuar como conductor o aislante. Algo que la molibdenita posee de forma natural.
Para añadir al grafeno esta propiedad es necesaria la incorporación de bandas, que implica un proceso caro y complejo, como es un enfriamiento a temperaturas bajas o cortar el material de manera precisa, según recoge TechnologyReview. Con la molibdenita este tratamiento no tendría que realizarse y se conseguirían igualmente altas velocidades en un tamaño reducido.
Pese a la investigación del centro de Lausanne la aplicación real de la molibdenita aún está lejos. Sin embargo, aunque la experimentación con el grafeno ha aumentado en los últimos años, tampoco parece que este material tenga un futuro comercial cercano.
Según James D. Meindl, del Georgia Institute of Technology, el grafeno no sustituirá al silicio hasta que no sea capaz de producirse a unos niveles que sean comercialmente rentables. La marca la fijó en 7 nanómetros, mientras que actualmente la fabricación se encuentra en los 22 nanómetros. El científico calcula que esto llegará en 2024.
Las exigencias del mercado invitan a buscar un salto cualitativo que permita construir dispositivos más pequeños y más potentes, sin las limitaciones de tamaño del silicio. Las lucrativas ventas de smartphones y tabletas sirven como acicate a estas investigaciones.
El nuevo material permitiría solventar una de las dificultades intrínsecas del proceso de producción de componentes electrónicos. Los científicos del Instituto Federal Suizo de Tecnología de Lausanne han sido los primeros en crear circuitos integrados utilizando láminas de molibdenita (MoS2). La ventaja principal respecto al grafeno de este material es su capacidad para pasar de un estado de conductor a no conductor de la electricidad.
El grafeno en cambio no tiene esta facilidad para actuar como conductor o aislante. Algo que la molibdenita posee de forma natural.
Para añadir al grafeno esta propiedad es necesaria la incorporación de bandas, que implica un proceso caro y complejo, como es un enfriamiento a temperaturas bajas o cortar el material de manera precisa, según recoge TechnologyReview. Con la molibdenita este tratamiento no tendría que realizarse y se conseguirían igualmente altas velocidades en un tamaño reducido.
Pese a la investigación del centro de Lausanne la aplicación real de la molibdenita aún está lejos. Sin embargo, aunque la experimentación con el grafeno ha aumentado en los últimos años, tampoco parece que este material tenga un futuro comercial cercano.
Según James D. Meindl, del Georgia Institute of Technology, el grafeno no sustituirá al silicio hasta que no sea capaz de producirse a unos niveles que sean comercialmente rentables. La marca la fijó en 7 nanómetros, mientras que actualmente la fabricación se encuentra en los 22 nanómetros. El científico calcula que esto llegará en 2024.
Las exigencias del mercado invitan a buscar un salto cualitativo que permita construir dispositivos más pequeños y más potentes, sin las limitaciones de tamaño del silicio. Las lucrativas ventas de smartphones y tabletas sirven como acicate a estas investigaciones.
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