Samsung Electronics, el mayor fabricante mundial de chips de memoria,
anunció este martes haber iniciado la producción masiva de chips de
memoria móvil de bajo consumo LPDDR3 2GB basados en la clase tecnológica
de 30 nanómetros (nm).
El primer chip de memoria LPDDR3 de la
industria de la clase de 30 nm será usado en la próxima generación de
equipos móviles, según un comunicado transmitido vía correo electrónico.
El LPDDR3 es necesario para procesadores veloces, pantallas de alta
resolución y gráficos 3D en las tabletas y los teléfonos inteligentes.
El
chip DRAM apareció apenas 10 meses después que Samsung comenzará la
producción de la memoria LPDDR2 2GB a 30 nm en octubre del año pasado.
El nuevo componente utiliza cuatro chips LPDDR3 colocados juntos,
explicó el fabricante.
El nuevo chip DRAM LPDDR3 2GB puede
transmitir datos a una velocidad de hasta 1.600 megabits por segundo
(Mbps) por clavija, alrededor de un 50 por ciento más rápido que el DRAM
LPDDR2. En cuanto al nivel de paquete, proporciona un tasa de
transmisión de datos de hasta 12,8GB por segundo (GB/s), lo cual
permitirá proyectar un contenido de vídeo de alta definición en tiempo
real en los teléfonos inteligentes y las tabletas.
"Emprenderemos
una magnífica cooperación técnica con los fabricantes líderes de
equipos móviles, a medida que continuamos brindando soluciones oportunas
para la memoria de la próxima generación como el DRAM LPDDR3 2GB,
ayudando a acelerar el crecimiento del mercado de la memoria móvil",
manif
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