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20 sept. 2012

Samsung inicia producción masiva de chips móviles LPDDR3 2GB

Samsung Electronics, el mayor fabricante mundial de chips de memoria, anunció este martes haber iniciado la producción masiva de chips de memoria móvil de bajo consumo LPDDR3 2GB basados en la clase tecnológica de 30 nanómetros (nm).

El primer chip de memoria LPDDR3 de la industria de la clase de 30 nm será usado en la próxima generación de equipos móviles, según un comunicado transmitido vía correo electrónico. El LPDDR3 es necesario para procesadores veloces, pantallas de alta resolución y gráficos 3D en las tabletas y los teléfonos inteligentes.

El chip DRAM apareció apenas 10 meses después que Samsung comenzará la producción de la memoria LPDDR2 2GB a 30 nm en octubre del año pasado. El nuevo componente utiliza cuatro chips LPDDR3 colocados juntos, explicó el fabricante.

El nuevo chip DRAM LPDDR3 2GB puede transmitir datos a una velocidad de hasta 1.600 megabits por segundo (Mbps) por clavija, alrededor de un 50 por ciento más rápido que el DRAM LPDDR2. En cuanto al nivel de paquete, proporciona un tasa de transmisión de datos de hasta 12,8GB por segundo (GB/s), lo cual permitirá proyectar un contenido de vídeo de alta definición en tiempo real en los teléfonos inteligentes y las tabletas.

"Emprenderemos una magnífica cooperación técnica con los fabricantes líderes de equipos móviles, a medida que continuamos brindando soluciones oportunas para la memoria de la próxima generación como el DRAM LPDDR3 2GB, ayudando a acelerar el crecimiento del mercado de la memoria móvil", manif

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