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2010/03/30

Samsung desarrolla el primer módulo de memoria DRAM con tecnología de 40 nm y 32 gigabytes

Fuente: Pueblo en Linea.

La empresa Samsung Electronics Co., la mayor fabricante del mundo de chips de memoria para ordenadores, anunció el lunes que comenzará a producir los módulos de memoria de mayor densidad de la industria para sistemas de servidores.

La empresa afirmó que ha desarrollado el primer módulo de memoria en línea dual de 32 gigabytes registrado (RDIMM) del mundo con tecnología de procesamiento de 40 nanómetros, lo que supone el doble de capacidad de memoria y de rapidez de procesamiento de datos de su módulo de memoria de 16 gigabytes desarrollado el año pasado.

"Samsung sigue marcando el ritmo de la memoria avanzada para aplicaciones de servidores de alta tecnología ofreciendo módulos de 32 gigabytes con tecnología de 40 nanómetros para llegar a niveles de capacidad de sistema antes inalcanzables", afirmó el presidente y mánager general de la División de Memoria de Samsung, Soo-in Cho, en una declaración.

El nuevo producto está basado en unos chips de memoria RAM de acceso aleatorio dinámico de nivel 3 (DDR3) con tecnología de 40 nanómetros con una memoria de 4 gigabytes, que comenzaron a producirse el pasado febrero, añadió la empresa.

Samsung comenzará a producir en masa estos chips el próximo mes, agregó.

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