La tecnología CMOS Integrated Silicon Nanophotonics multiplica por diez la densidad respecto a las técnicas de fabricación actuales, lo que produce chips más rápidos y pequeños además de más eficientes desde el punto de vista energético.
Con la nueva tecnología, un único canal receptor-transmisor con todos los circuitos ópticos y eléctricos ocupa sólo 0.5mm2. De forma que integrando dispositivos ópticos y eléctricos en la misma pieza de silicio, la compañía logra transferir datos utilizando pulsos de luz.
El desarrollo de esta tecnología proporcionará un gran empuje al programa Exascale de IBM, enfocado al desarrollo de un superordenador capaz de ejecutar un billón de cálculos en un segundo. Esta cifra sería miles de veces superior a la capacidad de cálculo de las máquinas actuales.
En la tecnología de Silicon Nanophotonics los transistores de silicio pueden compartir la misma capa de silicio con los dispositivos nanofotónicos, lo que, según explican en TG Daily, significa que la nueva tecnología puede ser producida en el front-end de una línea de fabricación CMOS estándar, sin equipamiento especial.
Para que esto pueda ser posible, los investigadores desarrollaron un conjunto integrado de dispositivos nanofotónicos activos y pasivos que se pueden reducir hasta el límite de difracción - el tamaño más pequeño que la óptica dieléctrica puede alcanzar.
Desde IBM aseguran que el siguiente paso es establecer este proceso de fabricación en una fábrica comercial utilizando el proceso de escalado CMOS de la compañía.
ITespresso
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