Las características no pueden ser más apetecibles. Se trata de una memoria no volátil, es decir, que no pierde los datos al dejar de recibir electricidad, al igual que los discos duros y las memorias flash, pero asegura ser 1.000 veces más rápida que estas últimas, lo que le acerca a la velocidad de las memorias RAM, aunque no las alcanza aún. Además, soluciona otro problema de la memoria flash, como es la durabilidad, ya que las flash aguantan un número relativamente reducido de ciclos de escritura: 3D XPoint soportaría 1.000 veces más ciclos de escritura.
En cuanto al tamaño, Intel y Micron aseguran que pueden meter hasta diez veces mayor capacidad que las memorias RAM en el mismo espacio. Aquí no hacen la comparación con las memorias flash, quizá porque sus propias memorias 3D NAND ya tienen más densidad que las flash normales y no van a canibalizar un producto que ya está en el mercado por otro que esperan ofrecer el año que viene.
Intel y Micron no han anunciado precios específicos, aunque afirman que estas nuevas memorias serán asequibles y se situarán en un coste por gigabyte entre medias del precio de las memorias RAM y las flash. Inicialmente serán fabricadas en una instalación conjunta en Utah, pero posteriormente cada compañía tendrá sus propias factorías para producir memorias 3D XPoint, y no tienen planes de licenciar la tecnología a terceros.
Con velocidades ya comparables a las memorias RAM actuales, no es difícil imaginar que las 3D XPoint podrían servir para sustituir tanto a los discos duros y de estado sólido como a las memorias RAM, desdibujando la diferencia entre memoria y almacenamiento en futuros ordenadores y móviles, lo que supondría un cambio de paradigma en la computación.
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