Los laboratorios de IBM están desarrollando una nueva memoria que supondrá un importante adelanto en relación a la capacidad de almacenamiento de datos, la rapidez de acceso y su lectura en dispositivos móviles o de sobremesa.
La memoria ha sido bautizada como Racetrack, y los ingenieros de IBM, que llevan seis años trabajando en el invento, han indicado que está ya en su tramo final.
Gracias a esta nueva memoria los usuarios podrían almacenar una cantidad de datos hasta 100 veces mayor en sus dispositivos portátiles, de tal forma que podrían guardar en ellos el equivalente a medio millón de canciones o 3.500 películas.
Otro punto fuerte de Racetrack es que consumiría menos energía y eso permitiría aumentar considerablemente los tiempos de duración de las baterías.
Sus ventajas también se trasladarían a los equipos de sobremesa y a los servidores, que podrían acceder a la información de forma más rápida.
Para su funcionamiento, Racetrack se sirve de elementos de las memorias Flash y el almacenamiento magnético, y según los expertos en el futuro podría llegar a reemplazar a las memorias RAM, Flash RAM e incluso a los discos duros tradicionales.
Los adelantos en el campo de la espíntronica, que estudia la velocidad de los electrones, han hecho posible el desarrollo de Racetrack, y los ingenieros de IBM han desvelado que su próximo reto es comenzar con la producción de los prototipos de la nueva memoria.
the INQUIRER
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2010/12/27
2010/12/16
Taiwán desarrolla el dispositivo de memoria electrónica más pequeño del mundo
Los Laboratorios Nacionales de Investigación Aplicada de Taiwán anunciaron el desarrollo de la memoria electrónica más pequeña del mundo, que se comercializará en cinco o diez años.
La nueva memoria de acceso aleatorio resistivo (RRAM, por sus siglas en inglés) está compuesta de circuitos integrados de 9 millonésimas partes de un metro y puede almacenar 20 veces más datos que las tarjetas de memoria flash utilizadas normalmente en cámaras y teléfonos móviles.
La nueva tecnología permitirá producir memorias de 500 gigabytes en un microchip de un centímetro cuadrado, señaló Ho Chia-hua, uno de los miembros del equipo desarrollador de la nueva memoria.
"Y en el centímetro cuadrado se puede llegar a meter hasta 1,5 terabytes, con lo que se podrán almacenar 200 horas de vídeo, 100.000 canciones y millones de fotos y documentos", señaló Ho.
Taiwán, que en la actualidad controla menos del uno por ciento del mercado mundial de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM, por sus siglas en inglés), espera llegar al 10% del total de la memoria electrónica cuando se comercialice la RRAM.
El Mundo
La nueva memoria de acceso aleatorio resistivo (RRAM, por sus siglas en inglés) está compuesta de circuitos integrados de 9 millonésimas partes de un metro y puede almacenar 20 veces más datos que las tarjetas de memoria flash utilizadas normalmente en cámaras y teléfonos móviles.
La nueva tecnología permitirá producir memorias de 500 gigabytes en un microchip de un centímetro cuadrado, señaló Ho Chia-hua, uno de los miembros del equipo desarrollador de la nueva memoria.
"Y en el centímetro cuadrado se puede llegar a meter hasta 1,5 terabytes, con lo que se podrán almacenar 200 horas de vídeo, 100.000 canciones y millones de fotos y documentos", señaló Ho.
Taiwán, que en la actualidad controla menos del uno por ciento del mercado mundial de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM, por sus siglas en inglés), espera llegar al 10% del total de la memoria electrónica cuando se comercialice la RRAM.
El Mundo
En unos años habrá dispositivos de memoria diminutos con varios terabytes de capacidad
Los Laboratorios Nacionales de Investigación Aplicada de Taiwán anunciaron el desarrollo de la memoria electrónica más pequeña del mundo, que se comercializará en cinco o diez años.
La nueva memoria de acceso aleatorio resistivo (RRAM, por sus siglas en inglés) está compuesta de circuitos integrados de 9 millonésimas partes de un metro y puede almacenar 20 veces más datos que las tarjetas de memoria flash utilizadas normalmente en cámaras y teléfonos móviles.
La nueva tecnología permitirá producir memorias de 500 gigabytes en un microchip de un centímetro cuadrado, señaló Ho Chia-hua, uno de los miembros del equipo desarrollador de la nueva memoria.
"Y en el centímetro cuadrado se puede llegar a meter hasta 1,5 terabytes, con lo que se podrán almacenar 200 horas de vídeo, 100.000 canciones y millones de fotos y documentos", señaló Ho.
Taiwán, que en la actualidad controla menos del uno por ciento del mercado mundial de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM, por sus siglas en inglés), espera llegar al 10 por ciento del total de la memoria electrónica cuando se comercialice la RRAM.
20minutos
La nueva memoria de acceso aleatorio resistivo (RRAM, por sus siglas en inglés) está compuesta de circuitos integrados de 9 millonésimas partes de un metro y puede almacenar 20 veces más datos que las tarjetas de memoria flash utilizadas normalmente en cámaras y teléfonos móviles.
La nueva tecnología permitirá producir memorias de 500 gigabytes en un microchip de un centímetro cuadrado, señaló Ho Chia-hua, uno de los miembros del equipo desarrollador de la nueva memoria.
"Y en el centímetro cuadrado se puede llegar a meter hasta 1,5 terabytes, con lo que se podrán almacenar 200 horas de vídeo, 100.000 canciones y millones de fotos y documentos", señaló Ho.
Taiwán, que en la actualidad controla menos del uno por ciento del mercado mundial de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM, por sus siglas en inglés), espera llegar al 10 por ciento del total de la memoria electrónica cuando se comercialice la RRAM.
20minutos
2010/11/12
Samsung se hace fuerte en el mercado DRAM
Samsung ha experimentado durante el último cuarto de año un aumento de las ventas del 14,3% con respecto al trimestre anterior en el segmento de memoria DRAM (Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio). Se trata del único fabricante de entre los grandes que ha conseguido mejorar sus resultados, incluso con ingresos record de 4.364 millones de dólares. Con todo, la surcoreana ha llegado hasta el 41% de cuota de mercado, cuando justo hace un año disfrutaba del 35%.
Y lo ha conseguido gracias a una fuerte expansión de sus productos, además de evolucionar las tecnologías de fabricación para reducir costes y transferirlos a los precios finales. Su objetivo a corto plazo es acceder al 50% de cuota de mercado.
En segunda posición se sitúa el fabricante Hynix, con un 20,9% de cuota de mercado, mientras que la tercera y cuarta posición las ocupan Elpida y Micron, con un 16,1% y 10,5%, respectivamente.
En general, las ventas de memoria DRAM han experimentado durante el Q3 un ligero descenso con respecto al periodo anterior, por lo que los resultados de Samsung son doblemente atrayentes.
La memoria DRAM difiere de la estática en que cada bit de información se almacena en un transistor independiente dentro de la pastilla de silicio. Estos transistores van perdiendo la corriente eléctrica, por lo que es necesario ir suministrándosela de forma contínua, de ahí que se le denomina memoria dinámica.
eWeek
Y lo ha conseguido gracias a una fuerte expansión de sus productos, además de evolucionar las tecnologías de fabricación para reducir costes y transferirlos a los precios finales. Su objetivo a corto plazo es acceder al 50% de cuota de mercado.
En segunda posición se sitúa el fabricante Hynix, con un 20,9% de cuota de mercado, mientras que la tercera y cuarta posición las ocupan Elpida y Micron, con un 16,1% y 10,5%, respectivamente.
En general, las ventas de memoria DRAM han experimentado durante el Q3 un ligero descenso con respecto al periodo anterior, por lo que los resultados de Samsung son doblemente atrayentes.
La memoria DRAM difiere de la estática en que cada bit de información se almacena en un transistor independiente dentro de la pastilla de silicio. Estos transistores van perdiendo la corriente eléctrica, por lo que es necesario ir suministrándosela de forma contínua, de ahí que se le denomina memoria dinámica.
eWeek
2010/11/06
Transcend presenta la primera memoria SDXC Class 10 de 64 GB
¿Necesitas más espacio para tus fotos y vídeos? Transcend te propone una solución, la primera tarjeta SDXC de 64GB, capaz de almacenar hasta 640 minutos de videos de 1920×1080.
El nuevo modelo de memoria está evidentemente más orientado a usuarios profesionales de cámaras de vídeo o fotografía, ya que con los 64GB que tienen de capacidad pueden almacenar más de 26.000 fotografías (formato JPEG de 5 megapíxeles) y 352 horas de video de calidad estándar (MPEG-4 a 384Kbps).
Son totalmente compatibles con Class 10 y gracias a la utilización del sistema de archivo exFAT, admiten archivos mayores de 4GB, lo que las convierte en las “mejores amigas” de cámaras DSLR de alta calidad y videocámaras HD.
Tiene una velocidad de transferencia de 25Mbps, y prometen que no habrá desfases durante la grabación de videos Full HD y que se podrán realizar disparos consecutivos de alta velocidad en eventos deportivos u otros acontecimientos.
Ahora toca hablar de precios, lógicamente con 64GB se sube un poco la cosa hasta los 145 euros, pero si se te va de presupuesto también puedes optar por el modelo inferior que es la de 32GB por 59 euros.
the INQUIRER
El nuevo modelo de memoria está evidentemente más orientado a usuarios profesionales de cámaras de vídeo o fotografía, ya que con los 64GB que tienen de capacidad pueden almacenar más de 26.000 fotografías (formato JPEG de 5 megapíxeles) y 352 horas de video de calidad estándar (MPEG-4 a 384Kbps).
Son totalmente compatibles con Class 10 y gracias a la utilización del sistema de archivo exFAT, admiten archivos mayores de 4GB, lo que las convierte en las “mejores amigas” de cámaras DSLR de alta calidad y videocámaras HD.
Tiene una velocidad de transferencia de 25Mbps, y prometen que no habrá desfases durante la grabación de videos Full HD y que se podrán realizar disparos consecutivos de alta velocidad en eventos deportivos u otros acontecimientos.
Ahora toca hablar de precios, lógicamente con 64GB se sube un poco la cosa hasta los 145 euros, pero si se te va de presupuesto también puedes optar por el modelo inferior que es la de 32GB por 59 euros.
the INQUIRER
2010/10/27
Verbatim ofrece 32 GB en menos de lo que ocupa una moneda de euro
Las nuevas memorias USB Store`n`Go están especialmente pensadas para aumentar la capacidad de los netbooks y poder dejarlas conectadas permanentemente porque apenas sobresalen unos milímetros.
“Los netbooks son populares y están de moda pero, debido a su naturaleza, tienen que ser pequeños y ligeros, por tanto, muchos de ellos disponen de una capacidad de almacenamiento SSD limitada”, este problema es el que Verbatim pretende solucionar con la memorias Store`n`Go.
Las nuevas memorias tienen 32 GB de capacidad, pesan 2 gramos y su tamaño es más pequeño que una moneda de un euro.
La idea es que se puedan conectar a cualquier dispositivo y quedarse conectadas de manera habitual, ya que mide 17,15 mm. de largo, 14,85 mm. de ancho y 7,7 mm. de profundidad, de manera que cuando se inserta en un puerto USB sólo sobresalen 5 milímetros.
Los precios van desde 19,90 euros la de 8GB, 39,9 euros la memoria de 16GB y 74,90 euros por la de mayor capacidad, 32GB.
“Los netbooks son populares y están de moda pero, debido a su naturaleza, tienen que ser pequeños y ligeros, por tanto, muchos de ellos disponen de una capacidad de almacenamiento SSD limitada”, este problema es el que Verbatim pretende solucionar con la memorias Store`n`Go.
Las nuevas memorias tienen 32 GB de capacidad, pesan 2 gramos y su tamaño es más pequeño que una moneda de un euro.
La idea es que se puedan conectar a cualquier dispositivo y quedarse conectadas de manera habitual, ya que mide 17,15 mm. de largo, 14,85 mm. de ancho y 7,7 mm. de profundidad, de manera que cuando se inserta en un puerto USB sólo sobresalen 5 milímetros.
Los precios van desde 19,90 euros la de 8GB, 39,9 euros la memoria de 16GB y 74,90 euros por la de mayor capacidad, 32GB.
2010/10/13
Los chips ReRAM están listos para sustituir las memorias NAND Flash
El Mundo
Tras varios años de experimentación, las memorias ReRAM están listas para pasar a la producción en masa y para llegar al mercado. Sus inventores tendrán que demostrar su potencial, mientras que los creadores tendrán que demostrar que esta evolución tiene aplicaciones reales.
Las ventajas más importantes de la ReRAM (Resistive Random Access Memory) son, por un lado, su bajo consumo de energía y, por otro y más importante, su capacidad para 'recordar' incluso cuando están totalmente desactivadas. En 2008, cuando fueron presentadas de forma funcional, HP hablaba de un proceso de simulación del cerebro humano gracias a sus 'memristores'.
Ahora, está a punto de convertirse en una realidad lista para llegar al mercado gracias a los nuevos acuerdos que garantizan su fabricación en masa. Fabricantes y distribuidores están creando alianzas para llegar antes que el competidor. Hewlett Packard con Hynix y Samsung; y ahora también Sharp, con Elpida, con la Universidad de Tokio, con el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Avanzada de Japón y con otros fabricantes.
El objetivo de esta alianza es poder tener listos los chips para el año 2013. Elpida llevará a cabo el proceso de fabricación aprovechando su experiencia en la producción de memorias DRAM.
Como explican desde Hynix, "ReRAM es un producto que tiene suficiente potencial para sustituir a las memorias Flash actuales utilizadas en teléfonos móviles y en reproductores MP3 y para servir como un medio de almacenamiento universal". En su alianza, Hynix es la compañía encargada del desarrollo y el ensamblaje de estos chips para Hewlett Packard.
Los nuevos chips prometen avanzar en dos campos básicos para la innovación. El ahorro de energía y de recursos es un problema de actualidad y que ha provocado concienciación social, por lo que los consumidores estarán ávidos por aceptar este tipo de tecnología. Pero el aumento de sus capacidades, tanto de almacenamiento como de velocidad de transmisión de datos, convierten a los chips ReRAM en una pieza clave sobre la que deben girar los próximos planteamientos.
Las ventajas más importantes de la ReRAM (Resistive Random Access Memory) son, por un lado, su bajo consumo de energía y, por otro y más importante, su capacidad para 'recordar' incluso cuando están totalmente desactivadas. En 2008, cuando fueron presentadas de forma funcional, HP hablaba de un proceso de simulación del cerebro humano gracias a sus 'memristores'.
Ahora, está a punto de convertirse en una realidad lista para llegar al mercado gracias a los nuevos acuerdos que garantizan su fabricación en masa. Fabricantes y distribuidores están creando alianzas para llegar antes que el competidor. Hewlett Packard con Hynix y Samsung; y ahora también Sharp, con Elpida, con la Universidad de Tokio, con el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Avanzada de Japón y con otros fabricantes.
El objetivo de esta alianza es poder tener listos los chips para el año 2013. Elpida llevará a cabo el proceso de fabricación aprovechando su experiencia en la producción de memorias DRAM.
Como explican desde Hynix, "ReRAM es un producto que tiene suficiente potencial para sustituir a las memorias Flash actuales utilizadas en teléfonos móviles y en reproductores MP3 y para servir como un medio de almacenamiento universal". En su alianza, Hynix es la compañía encargada del desarrollo y el ensamblaje de estos chips para Hewlett Packard.
Los nuevos chips prometen avanzar en dos campos básicos para la innovación. El ahorro de energía y de recursos es un problema de actualidad y que ha provocado concienciación social, por lo que los consumidores estarán ávidos por aceptar este tipo de tecnología. Pero el aumento de sus capacidades, tanto de almacenamiento como de velocidad de transmisión de datos, convierten a los chips ReRAM en una pieza clave sobre la que deben girar los próximos planteamientos.
2010/10/02
Samsung propone un nuevo formato de tarjeta de memoria
ITespresso
Samsung Electronics está desarrollando la versión 1.0 de Universal Flash Storage (UFS), que llegará al mercado en la primera mitad de 2011 y que pretende estandarizar un conjunto de comandos necesarios para que sean soportados por todos los interfaces tanto de memoria removible como embebida.
No se cree que la especificación propuesta cambie el dominio del formato de memoria SD a corto plazo, aunque sí que prevalecerá frente a MMC, otro formato de tarjeta de memoria menos extendido
Samsung está trabajando con Micron Technology, Nokia, Texas Instruments y STMicroelectronics para la estandarización de Universal Flash Storage (UFS) junto con la JEDEC Solid State Technology Association.
En marzo de 2010 JEDEC Solid State Technology Association reveló sus planes de publicar un estándar anticipado de Universal Flash Storage (UFS) para finales de 2010. JEDEC UFS, explican en DigiTimes, se está diseñando como una especificación de próxima generación que permitirá mayor rendimiento y eficiencia cuando la memoria flash se utilice en portátiles, teléfonos móviles y otros productos de electrónica de consumo.
Samsung Electronics está desarrollando la versión 1.0 de Universal Flash Storage (UFS), que llegará al mercado en la primera mitad de 2011 y que pretende estandarizar un conjunto de comandos necesarios para que sean soportados por todos los interfaces tanto de memoria removible como embebida.
No se cree que la especificación propuesta cambie el dominio del formato de memoria SD a corto plazo, aunque sí que prevalecerá frente a MMC, otro formato de tarjeta de memoria menos extendido
Samsung está trabajando con Micron Technology, Nokia, Texas Instruments y STMicroelectronics para la estandarización de Universal Flash Storage (UFS) junto con la JEDEC Solid State Technology Association.
En marzo de 2010 JEDEC Solid State Technology Association reveló sus planes de publicar un estándar anticipado de Universal Flash Storage (UFS) para finales de 2010. JEDEC UFS, explican en DigiTimes, se está diseñando como una especificación de próxima generación que permitirá mayor rendimiento y eficiencia cuando la memoria flash se utilice en portátiles, teléfonos móviles y otros productos de electrónica de consumo.
2010/09/08
Samsung extiende su Memoria Verde a PCs y móviles
ITespresso
Samsung quiere que se reconozcan sus esfuerzos por preservar el medio ambiente, para lo que ha decidido extender su iniciativa “Memoria Verde”, que hasta ahora afectaba tan solo a memorias DRAM, a módulos diseñados para su uso en PCs y dispositivos móviles.
Los módulos añadidos son un LPDDR2 con un consumo energético “ultra-bajo”, destinado a tarjetas gráficas con muy alto rendimiento y videojuegos; y una memoria GDDR5 “ultrarrápida”, con el objetivo de ser utilizada en tablets, smartphones, y otros dispositivos de electrónica de consumo.
Además, Samsung ha creado una web especial para su Memoria Verde, pensada para informar sobre sus “esfuerzos en el ahorro de energía” tanto a los consumidores como a los fabricantes.
Según el vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memorias de Samsung, al proporcionar información sobre las ventajas de la iniciativa y sus beneficios económicos, “un número creciente de usuarios escogerán comprar productos tecnológicos verdes con la memoria verde de Samsung”.
Samsung quiere que se reconozcan sus esfuerzos por preservar el medio ambiente, para lo que ha decidido extender su iniciativa “Memoria Verde”, que hasta ahora afectaba tan solo a memorias DRAM, a módulos diseñados para su uso en PCs y dispositivos móviles.
Los módulos añadidos son un LPDDR2 con un consumo energético “ultra-bajo”, destinado a tarjetas gráficas con muy alto rendimiento y videojuegos; y una memoria GDDR5 “ultrarrápida”, con el objetivo de ser utilizada en tablets, smartphones, y otros dispositivos de electrónica de consumo.
Además, Samsung ha creado una web especial para su Memoria Verde, pensada para informar sobre sus “esfuerzos en el ahorro de energía” tanto a los consumidores como a los fabricantes.
Según el vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memorias de Samsung, al proporcionar información sobre las ventajas de la iniciativa y sus beneficios económicos, “un número creciente de usuarios escogerán comprar productos tecnológicos verdes con la memoria verde de Samsung”.
Samsung alerta de un exceso de oferta de DRAM en el 4º trimestre
Yahoo!
El comentario pesimista hace temer que el gran ciclo de la industria DRAM pueda estar acercándose a su fin y la rentabilidad sufrirá grandes presiones a partir del próximo trimestre hasta la primera mitad del próximo año.
Los precios de las memorias DRAM, muy utilizadas en ordenadores, se han debilitado desde julio tras un inusualmente fuerte primer semestre, ante la pérdida de impulso del crecimiento de la demanda de PC y mientras la crisis de deuda europea amenaza con afectar a las ventas de ordenadores y otros artículos de consumo.
La cautela de la firma surcoreana se suma a una serie de advertencias de Samsung y su rival local Hynix Semiconductor, entre otros, de que los precios caerían en la segunda mitad debido al incierto panorama económico.
Las ventas de PC también están sufriendo ante la decisión de los consumidores de retrasar sus compras y optar por dispositivos tipo tableta, más pequeños y que utilizan menos componentes DRAM que los ordenadores de mesa y los tradicionales portátiles.
El nuevo dispositivo está ganando popularidad después de que Apple lanzara el iPad, y vendedores como Samsung, Nokia, LG Electronics y Dell se están apresurando por hacerse con una parte del mercado emergente.
Samsung Electronics, el mayor fabricante de chips de memoria del mundo, advirtió el martes de que el mercado podría tener un exceso de oferta a partir del próximo trimestre, ante la balbuceante situación de la economía internacional, que podría debilitar aún más las ventas de PC.
"Si el mercado de PC sigue ralentizándose, podríamos ver una especie de exceso de oferta en el cuarto o primer trimestre", dijo Kwon Oh-hyun, responsable de la división de chips de Samsung, en una conferencia en su foro anual de soluciones móviles en Taipei.
"Gracias a los teléfonos móviles y a los servidores, el mercado de DRAM (memoria de acceso aleatorio dinámico) estará estable, mientras que el de PC es el sector más débil y depende de la demanda de Acción de Gracias en Estados Unidos" a finales de noviembre, que habitualmente marca el comienzo de la fuerte pretemporada de ventas navideñas.El comentario pesimista hace temer que el gran ciclo de la industria DRAM pueda estar acercándose a su fin y la rentabilidad sufrirá grandes presiones a partir del próximo trimestre hasta la primera mitad del próximo año.
Los precios de las memorias DRAM, muy utilizadas en ordenadores, se han debilitado desde julio tras un inusualmente fuerte primer semestre, ante la pérdida de impulso del crecimiento de la demanda de PC y mientras la crisis de deuda europea amenaza con afectar a las ventas de ordenadores y otros artículos de consumo.
La cautela de la firma surcoreana se suma a una serie de advertencias de Samsung y su rival local Hynix Semiconductor, entre otros, de que los precios caerían en la segunda mitad debido al incierto panorama económico.
Las ventas de PC también están sufriendo ante la decisión de los consumidores de retrasar sus compras y optar por dispositivos tipo tableta, más pequeños y que utilizan menos componentes DRAM que los ordenadores de mesa y los tradicionales portátiles.
El nuevo dispositivo está ganando popularidad después de que Apple lanzara el iPad, y vendedores como Samsung, Nokia, LG Electronics y Dell se están apresurando por hacerse con una parte del mercado emergente.
2010/08/11
iSuppli advierte de que habrá escasez de memorias DRAM
ITespresso
Los fabricantes de memorias DRAM, utilizadas en los ordenadores personales, se enfrentan a dos problemas de abastecimiento, por un lado la incapacidad para obtener el equipamiento necesario para su producción y por otro la difícil tarea de implementar una tarea nueva y avanzada. Al menos es lo que advierte la empresa de investigación de mercado iSupply, que también asegura que la escasez de memoria DRAM podría generar problemas en el mercado informático a nivel global.
A este respecto destacar que en un momento en que se han disparado la venta de ordenadores, con crecimientos del 22,4% en el segundo trimestre respecto al mismo periodo del año anterior, los fabricantes de memorias DRAM siguen intentando recuperarse de la caída del último año.
Muchas compañías no tenían suficiente dinero para comprar nuevo equipamiento el año pasado, de manera que este año han inundado con pedidos a los proveedores. La clave del éxito de DRAM, según iSuppli, es hacer que los chips sean tan pequeños y rápidos como sea posible y eso significa que es necesario nuevo equipamiento cada año y que los empleados reciban formación constante.
Desde el punto de vista de los usuarios, el riesgo es un incremento de los precios. La mayoría de la memoria DRAM se utiliza en ordenadores y servidores; los chips son vitales para almacenar los datos que se están utilizando, lo que afecta a la velocidad del ordenador. De forma que un problema de abastecimiento podría generar un incremento de precios porque los fabricantes tendrían que pagar más por los chips.
Los tres fabricantes que están en mejor posición para beneficiarse del incremento del precio de los chips son Samsung Electronics, Hynix Semiconductor y Micron Technology. Samsung ha mantenido su liderazgo en el segundo trimestre con una cuota de mercado del 35,3% en cuando a ingresos, seguida de Hynix con un 20,9%, Elpida Memory con un 17,3%, Micron con un 13,3% y Nanya Technology con un 4,4%.
Los fabricantes de memorias DRAM, utilizadas en los ordenadores personales, se enfrentan a dos problemas de abastecimiento, por un lado la incapacidad para obtener el equipamiento necesario para su producción y por otro la difícil tarea de implementar una tarea nueva y avanzada. Al menos es lo que advierte la empresa de investigación de mercado iSupply, que también asegura que la escasez de memoria DRAM podría generar problemas en el mercado informático a nivel global.
A este respecto destacar que en un momento en que se han disparado la venta de ordenadores, con crecimientos del 22,4% en el segundo trimestre respecto al mismo periodo del año anterior, los fabricantes de memorias DRAM siguen intentando recuperarse de la caída del último año.
Muchas compañías no tenían suficiente dinero para comprar nuevo equipamiento el año pasado, de manera que este año han inundado con pedidos a los proveedores. La clave del éxito de DRAM, según iSuppli, es hacer que los chips sean tan pequeños y rápidos como sea posible y eso significa que es necesario nuevo equipamiento cada año y que los empleados reciban formación constante.
Desde el punto de vista de los usuarios, el riesgo es un incremento de los precios. La mayoría de la memoria DRAM se utiliza en ordenadores y servidores; los chips son vitales para almacenar los datos que se están utilizando, lo que afecta a la velocidad del ordenador. De forma que un problema de abastecimiento podría generar un incremento de precios porque los fabricantes tendrían que pagar más por los chips.
Los tres fabricantes que están en mejor posición para beneficiarse del incremento del precio de los chips son Samsung Electronics, Hynix Semiconductor y Micron Technology. Samsung ha mantenido su liderazgo en el segundo trimestre con una cuota de mercado del 35,3% en cuando a ingresos, seguida de Hynix con un 20,9%, Elpida Memory con un 17,3%, Micron con un 13,3% y Nanya Technology con un 4,4%.
2010/07/26
Los ingresos por memorias para móviles aumentarán un 50% este año
Fuente: ITespresso.
El negocio de memorias para móviles está sufriendo un incremento importante y se espera que a finales de 2010 se haya elevado un 50%, según estimaciones de la firma de análisis iSuppli.
La facturación de memorias flash NAND, NOR y DRAM usados en dispositivos móviles y smartphones podría ascender este ejercicio hasta los 10.200 millones de dólares (7.900 millones de euros), una cifra interesante si se tiene en cuenta que los ingresos registrados por este mercado fueron de 6.800 millones de dólares (5.300 millones de euros).
El aumento le debe mucho a la cada vez mayor demanda de teléfonos inteligentes, con una proyección de 54 millones de unidades de smartphones vendidos en Estados Unidos al concluir el año, según las previsiones de la Consumer Electronics Association.
Se espera que este auge beneficie a compañías como Micron Technology y le permite acortar terreno con competidores como Samsung o Toshiba., Micro ha invertido en memorias flash NAND y DRAM e incluso se hizo hace dos meses con la especialista en NOR, Numonyx.
El negocio de memorias para móviles está sufriendo un incremento importante y se espera que a finales de 2010 se haya elevado un 50%, según estimaciones de la firma de análisis iSuppli.
La facturación de memorias flash NAND, NOR y DRAM usados en dispositivos móviles y smartphones podría ascender este ejercicio hasta los 10.200 millones de dólares (7.900 millones de euros), una cifra interesante si se tiene en cuenta que los ingresos registrados por este mercado fueron de 6.800 millones de dólares (5.300 millones de euros).
El aumento le debe mucho a la cada vez mayor demanda de teléfonos inteligentes, con una proyección de 54 millones de unidades de smartphones vendidos en Estados Unidos al concluir el año, según las previsiones de la Consumer Electronics Association.
Se espera que este auge beneficie a compañías como Micron Technology y le permite acortar terreno con competidores como Samsung o Toshiba., Micro ha invertido en memorias flash NAND y DRAM e incluso se hizo hace dos meses con la especialista en NOR, Numonyx.
2010/06/25
Toshiba quiere estandarizar las tarjetas de memoria
Fuente: the INQUIRER.
Las tarjetas de memoria con conectividad WiFi como las EyeFi se ha convertido en todo un éxito en el mercado, ya que permiten a los usuarios compartir sus fotos y vídeos de forma inalámbrica, y ahora Toshiba quiere apostar por un estándar global.
La idea de los desarrolaldores de EyeFi ha funcionado de forma espléndida, ya que este tipo de tarjetas de almacenamiento permiten transmitir los contenidos de nuestras cámaras de fotos y vídeo sin necesidad de cables. De hecho las tarjetas no tenía competencia hasta que Toshiba se ha puesto manos a la obra con el desarrollo de una especificación universal.
El estándar de Toshiba se recoge en su propuesta, titulada “Standard Promotion Forum for Memory Cards Embedding Wireless LAN”. Esta asociación que ya tiene algún que otro partner menor quiere crear una tarjeta SDHC de 8 Gbytes que tenga conectividad 802.11b/g integrada y que permtirá hacer lo mismoo que EyeFi, pero con un estándar que otros fabricantes podrían aprovechar.
Las tarjetas de memoria con conectividad WiFi como las EyeFi se ha convertido en todo un éxito en el mercado, ya que permiten a los usuarios compartir sus fotos y vídeos de forma inalámbrica, y ahora Toshiba quiere apostar por un estándar global.
La idea de los desarrolaldores de EyeFi ha funcionado de forma espléndida, ya que este tipo de tarjetas de almacenamiento permiten transmitir los contenidos de nuestras cámaras de fotos y vídeo sin necesidad de cables. De hecho las tarjetas no tenía competencia hasta que Toshiba se ha puesto manos a la obra con el desarrollo de una especificación universal.
El estándar de Toshiba se recoge en su propuesta, titulada “Standard Promotion Forum for Memory Cards Embedding Wireless LAN”. Esta asociación que ya tiene algún que otro partner menor quiere crear una tarjeta SDHC de 8 Gbytes que tenga conectividad 802.11b/g integrada y que permtirá hacer lo mismoo que EyeFi, pero con un estándar que otros fabricantes podrían aprovechar.
2010/06/04
Las memorias DRAM aumentarán su precio durante 2010
Fuente: eWeek.
La industria de semiconductores está en plena recuperación después de un 2009 calificado como desastroso. Durante este año, Gartner pronostica que se alcancen unos ingresos de 290.000 millones de dólares, lo que supone un 27,1% con respecto al ejercicio anterior.
Se trata de una cifra superior a la cosechada durante el primer cuarto de 2010, cuando se alcanzó un crecimiento del 19,9%. Según la analista, ha sido debido a la mejora de las condiciones generales del mercado en una amplia gama de productos.
No obstante, parece que hay diversos productos que están por encima de la media, como es el caso de los ordenadores personales, teléfonos móviles, componentes para automóviles y determinados productos de consumo. Los dos primeros segmentos suponen un 40% del crecimiento que se producirá durante 2010.
Sin embargo, la fuerte demanda de ordenadores ha obligado a elevar los precios de la memoria DRAM, por lo que este segmento, unido al de PC, cosechará un crecimiento de los ingresos del 78%.
Otra de las conclusiones que saca la analista es que el crecimiento en la demanda de los Tablet como el iPad no impactará negativamente en el mercado de ordenadores, al menos hasta 2013.
La industria de semiconductores está en plena recuperación después de un 2009 calificado como desastroso. Durante este año, Gartner pronostica que se alcancen unos ingresos de 290.000 millones de dólares, lo que supone un 27,1% con respecto al ejercicio anterior.
Se trata de una cifra superior a la cosechada durante el primer cuarto de 2010, cuando se alcanzó un crecimiento del 19,9%. Según la analista, ha sido debido a la mejora de las condiciones generales del mercado en una amplia gama de productos.
No obstante, parece que hay diversos productos que están por encima de la media, como es el caso de los ordenadores personales, teléfonos móviles, componentes para automóviles y determinados productos de consumo. Los dos primeros segmentos suponen un 40% del crecimiento que se producirá durante 2010.
Sin embargo, la fuerte demanda de ordenadores ha obligado a elevar los precios de la memoria DRAM, por lo que este segmento, unido al de PC, cosechará un crecimiento de los ingresos del 78%.
Otra de las conclusiones que saca la analista es que el crecimiento en la demanda de los Tablet como el iPad no impactará negativamente en el mercado de ordenadores, al menos hasta 2013.
2010/05/04
Nueva memoria para los teléfonos celulares
Fuente: BBC Mundo.
Estos módulos se fabrican con una sustancia que graba o borra datos al calentarse y suele utilizar mucha menos energía las memorias actuales.
Samsung aseguró que estos dispositivos podrían estar en sus líneas de producción a fines de 2010.
Su idea es producir los chips de PCM en el mismo formato que los modelos existentes, de manera que puedan incorporarse fácilmente en la fabricación.
Como resultado, este material puede ser usado para representar los ceros y los unos del lenguaje binario que emplean las computadoras.
Samsung anunció planes para comenzar a producir módulos PCM de 512 megabits durante el foro de tecnología móvil celebrado en Taipei.
Estos serán compatibles con los módulos tradicionales de memorias flash, cuyos componentes no superan los 40 nanómetros de ancho.
Además, aseguró la empresa, los PCM tiene una estructura más simple que los otros formatos, de modo que podrían ser más fáciles de fabricar y de empezar a utilizar en los teléfonos.
Las pruebas de laboratorio de Samsung indican que las memorias de cambio de fase de 512 megabits pueden leer y escribir datos hasta diez veces más rápido que algunas memorias flash ya existentes.
En general -dijo la compañía-, la memoria de cambio de fase es aproximadamente tres veces más veloz que la memorias flash.
"Nuestro objetivo inmediato es diseñar un competidor de las memorias flash para cámaras, iPods e instrumentos similares", dijo a la BBC el profesor Stan Williams, de HP.
Lea también: Hewlett Packard presenta los chips del futuro
Sin embargo, mientras que varias empresas están trabajando en distintas maneras de utilizar las memorias de cambio de fase, Samsung parece ser la primera compañía en ponerla en un módulo que puede ser incluido en teléfonos.
El gigante surcoreano dijo que espera que la memoria PCM reemplace a la flash en numerosos aparatos de uso habitual.
La batería de los teléfonos inteligentes podría durar hasta 20% más con sólo cambiarles el tipo de memoria que utilizan.
La compañía Samsung anunció sus planes de producir módulos de memoria que incluyen lo que se conoce como "material de cambio de fase" (PCM, por sus siglas en inglés).Estos módulos se fabrican con una sustancia que graba o borra datos al calentarse y suele utilizar mucha menos energía las memorias actuales.
Samsung aseguró que estos dispositivos podrían estar en sus líneas de producción a fines de 2010.
Su idea es producir los chips de PCM en el mismo formato que los modelos existentes, de manera que puedan incorporarse fácilmente en la fabricación.
Prueba de velocidad
El tipo más difundido de PCM se compone generalmente de una aleación de germanio, antimonio y titanio, cuyo aspecto es parecido al del vidrio. Al elevar su temperatura aplicando determinado voltaje, el material adopta dos formas distintas que presentan resistencias diferentes a la electricidad.Como resultado, este material puede ser usado para representar los ceros y los unos del lenguaje binario que emplean las computadoras.
Samsung anunció planes para comenzar a producir módulos PCM de 512 megabits durante el foro de tecnología móvil celebrado en Taipei.
Estos serán compatibles con los módulos tradicionales de memorias flash, cuyos componentes no superan los 40 nanómetros de ancho.
Además, aseguró la empresa, los PCM tiene una estructura más simple que los otros formatos, de modo que podrían ser más fáciles de fabricar y de empezar a utilizar en los teléfonos.
Las pruebas de laboratorio de Samsung indican que las memorias de cambio de fase de 512 megabits pueden leer y escribir datos hasta diez veces más rápido que algunas memorias flash ya existentes.
En general -dijo la compañía-, la memoria de cambio de fase es aproximadamente tres veces más veloz que la memorias flash.
Otros intentos
Hace pocos días, la firma estadounidense Hewlett Packard presentó los memristores, pequeños dispositivos que fueron llamados así por su habilidad de "recordar" el monto de la carga que ha fluido a través de ellos una vez que se desconecta la corriente."Nuestro objetivo inmediato es diseñar un competidor de las memorias flash para cámaras, iPods e instrumentos similares", dijo a la BBC el profesor Stan Williams, de HP.
Lea también: Hewlett Packard presenta los chips del futuro
Sin embargo, mientras que varias empresas están trabajando en distintas maneras de utilizar las memorias de cambio de fase, Samsung parece ser la primera compañía en ponerla en un módulo que puede ser incluido en teléfonos.
El gigante surcoreano dijo que espera que la memoria PCM reemplace a la flash en numerosos aparatos de uso habitual.
2010/04/24
Memorias de cambio de fase, sustitutas de las actuales NAND
Fuente: the INQUIRER.
La compañía que nació como joint venture de Intel y ST Microelectronix, Numoryx BV, acaba de presentar las memorias de cambio de fase (PCM) como sustitutos naturales para las memorias NAND, que mejoran la velocidad y el tiempo de vida de las mismas.
Son memorias no volátiles, es decir pueden almacenar datos sin estar conectadas y son extremadamente rápidas, del orden de 300 veces el rendimiento actual NAND.
El funcionamiento del nuevo tipo de memorias reside en cristales de calcogenuros que pueden cambiar de fase mediante alteraciones eléctricas y posteriormente quedan en un estado fijo hasta que se vuelva a ejercer esa tensión eléctrica. Debido a la rapidez del proceso se consiguen memorias que reúnen características NAND, no volátil, junto con la de memorias RAM, por la poca latencia y velocidad.
Además se comenta que tienen un tiempo de vida de hasta 1.000.000 de escrituras, muy superior (10 veces) a los tiempos medios de vida NAND.
La compañía que nació como joint venture de Intel y ST Microelectronix, Numoryx BV, acaba de presentar las memorias de cambio de fase (PCM) como sustitutos naturales para las memorias NAND, que mejoran la velocidad y el tiempo de vida de las mismas.
Son memorias no volátiles, es decir pueden almacenar datos sin estar conectadas y son extremadamente rápidas, del orden de 300 veces el rendimiento actual NAND.
El funcionamiento del nuevo tipo de memorias reside en cristales de calcogenuros que pueden cambiar de fase mediante alteraciones eléctricas y posteriormente quedan en un estado fijo hasta que se vuelva a ejercer esa tensión eléctrica. Debido a la rapidez del proceso se consiguen memorias que reúnen características NAND, no volátil, junto con la de memorias RAM, por la poca latencia y velocidad.
Además se comenta que tienen un tiempo de vida de hasta 1.000.000 de escrituras, muy superior (10 veces) a los tiempos medios de vida NAND.
2010/04/06
Samsung sopesa sacar una nueva línea de chips de memoria
Fuente: Yahoo!
El periódico Maeil Business informó el lunes, citando fuentes de la industria, que Lee Kun-hee, que volvió como presidente de Samsung Electronics el mes pasado, ha ordenado a la empresa añadir una línea de chips de memoria.
Samsung Electronics Co Ltd dijo el lunes que aún tiene que tomar una decisión acerca de ampliar su inversión en chips de memoria después de que un periódico informara de que el presidente del grupo habló de ello a la compañía.
Samsung, que ha dicho que consideraría seriamente incrementar su gasto de 5,5 billones de won en chips de memoria este año, señaló que todavía no se había decidido nada, pero que unas ventas más fuertes de lo esperado y la demanda de China había llevado a los inversores a subir sus apuestas sobre un aumento del gasto.
"Todavía no se ha decidido nada y mantendremos flexible la inversión", dijo una portavoz de Samsung.El periódico Maeil Business informó el lunes, citando fuentes de la industria, que Lee Kun-hee, que volvió como presidente de Samsung Electronics el mes pasado, ha ordenado a la empresa añadir una línea de chips de memoria.
Memorias de menos de 25 nanos de Toshiba
Fuente: the INQUIRER.
Seguramente muchos os preguntaréis como es posible que una tarjeta microSD sea capaz de almacenar hasta 16 Gbytes de datos. El secreto está en la densidad de integración de los transistores, y Toshiba quiere ir un paso más allá.
No parece descabellado pensar que en pocos años dispondremos de tarjetas microSD -u otros formatos de futuro e igual de diminitos- con 256, 512 o 1.024 Gbytes de capacidad, y todo gracias a empresas como Toshiba que siguen avanzando en la integración de componentes electrónicos.
Toshiba se gastará 160 millones en una línea de producción en pruebas que estará destinada al desarrollo de chips de memoria de próxima generación, que tendrá una escala de integración que seguramente será inferior a 25 nanómetros. Toshiba ya produce chips Flash NAND de 32 y 43 nanos, y es de esperar que con escalas del orden de los 20 nm serán capaces de multiplicar de forma masiva la capacidad de estos medios.
Seguramente muchos os preguntaréis como es posible que una tarjeta microSD sea capaz de almacenar hasta 16 Gbytes de datos. El secreto está en la densidad de integración de los transistores, y Toshiba quiere ir un paso más allá.
No parece descabellado pensar que en pocos años dispondremos de tarjetas microSD -u otros formatos de futuro e igual de diminitos- con 256, 512 o 1.024 Gbytes de capacidad, y todo gracias a empresas como Toshiba que siguen avanzando en la integración de componentes electrónicos.
Toshiba se gastará 160 millones en una línea de producción en pruebas que estará destinada al desarrollo de chips de memoria de próxima generación, que tendrá una escala de integración que seguramente será inferior a 25 nanómetros. Toshiba ya produce chips Flash NAND de 32 y 43 nanos, y es de esperar que con escalas del orden de los 20 nm serán capaces de multiplicar de forma masiva la capacidad de estos medios.
2010/02/22
La industria DRAM se recupera
Fuente: ITespresso.
Los ingresos globales de DRAM se duplicaron durante el cuarto trimestre de 2009 respecto al mismo periodo del año anterior gracias al aumento de la venta de ordenadores y precios de venta más altos. Al menos es lo que se deprende del estudio de la empresa de investigación de mercado iSuppli.
La venta de memoria DRAM a nivel mundial generó unos ingresos de 8.500 millones de dólares (6.544 millones de euros) en el cuarto trimestre de 2009, frente a los 4.130 millones de dólares (3.034 millones de euros)del año anterior. Estos resultados ofrecen además buenas previsiones para este año. Según iSuppli, los ingresos procedentes de DRAM para todo el año alcanzarán los 31.900 millones de dólares (23.400 millones de euros), frente a los 22.700 millones (16.600 millones de euros) de 2009.
La empresa de investigación afirma que lo peor de la crisis ha pasado para este sector. Los ingresos de enero a marzo de 2009 fueron los peores desde 2001, cuando se produjo el estallido de las ‘puntocom’.
La media de precios de venta se ha incrementado secuencialmente un 16% en el cuarto trimestre. Más de la mitad de los ingresos de DRAM proceden de las memorias incluidas en los ordenadores, que son los que han tirado de la demanda. Según la consultora IDC, en el cuarto trimestre de 2009 se vendieron 85,8 millones ordenadores, un 15,2% más que en el cuarto trimestre de 2008.
El principal vendedor de DRAM durante el cuarto trimestre fue Samsung, que logró unos ingresos de 2.790 millones de dólares (2.050 millones de euros), seguido de Hynix, que cosechó 1.890 millones de dólares (1.388 millones de euros). El tercer lugar lo ocupa Elpida, con ingresos de 1.680 millones de dólares (1.234 millones de euros), Micron se encuentra el cuarto, habiendo facturado 1.160 millones de dólares (852 millones de euros), seguido de Nanya, con 495 millones de dólares (364 millones de euros).
2010/02/20
Tarjetas de memoria de hasta 64 GB para los móviles
Fuente: Cope.
Para aquellos que pensaban que tener 2 ó 4 GB en una tarjeta de memoria en el móvil era mucho, Sandisk ha lanzado su órdago: ha presentado en Barcelona una nueva memoria flash integradas denominadas iNAND y que llega hasta los 64 GB de capacidad.
Para aquellos que pensaban que tener 2 ó 4 GB en una tarjeta de memoria en el móvil era mucho, Sandisk ha lanzado su órdago: ha presentado en Barcelona una nueva memoria flash integradas denominadas iNAND y que llega hasta los 64 GB de capacidad.
Esas nuevas unidades flash integradas (EFD) iNAND viene con soporte para la especificación e.MMC 4.4, pudiendo usarse para funciones de arranque, código de sistema y almacenamiento masivo. Se mejora así la velocidad de arranque de los sistemas y el poder almacenar de forma más eficiente más cantidad de datos, algo interesante en los nuevos smartphones o teléfonos inteligentes con capacidades mutimedia.
Con ese diseño en un dispositivo integrado, se aprovecha al máximo el espacio en la placa, simplificando el diseño del teléfono, ahorrando costes por no tener que introducir un elemento de arranque independiente, y mejorando el ahorro energético.
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