Samsung Electronics anunció la entrada en producción masiva de los primeros dispositivos de memoria DDR3 con densidad de cuatro gigabits en procesos tecnológicos de 40 nanómetros. Esta tecnología abre el camino para módulos de memoria SODIMM para portátiles de 8 Gbytes de capacidad.
Samsung ha conseguido duplicar la densidad de los módulos de memoria con la producción de los chips DDR3 4Gb de 40 nanómetros que además de permitir una alta capacidad reduce el consumo hasta en un 83 por ciento respecto a los módulos 1Gb DDR2 de 60 nanómetros.
El aumento de densidad permitirá fabricar módulos SoDIMM de 8 Gbytes para dotar a los portátiles más avanzados con impresionantes cantidades de memoria. También en formato RDIMM con módulos de hasta 32 Gbytes, soporte para voltajes de 1,35 y 1,5 voltios y tasas de rendimientos de 1,6 Gbps.
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