IDF 2009. Paul Otellini, CEO de Intel, mostró una oblea de 300 milímetros fabricada en procesos de 22 nanómetros, reiterando los planes del gigante del chip para comercializar microprocesadores con esta tecnología en 2011 y cumpliendo de paso con la Ley de Moore.
Dos años después de presentar las primeras muestras fabricadas en 32 nanos, Intel ha presentado un prototipo de lo que será su tecnología de fabricación en 22 nanómetros. Procesos que utilizarán la tercera generación de transistores de “high-k metal gate”.
Los circuitos de prueba de 22 nanómetros incluyen la memoria SRAM y los circuitos lógicos que se usarán en los microprocesadores. Las células de SRAM de 0,108 y 0,092 micrómetros cuadrados funcionan en una matriz que totaliza 364 millones de bits y son las más pequeñas en circuitos reales que nadie ha conseguido alcanzar.
El chip de prueba (el primero del mundo en funcionamiento construido en procesos de 22 nm) contiene nada menos que 2.900 millones de transistores, con una densidad de aproximadamente el doble de la generación de 32 nm, en un área tan pequeña como una uña.
El avance a este tipo de tecnologías permitirá la fabricación de chip cada vez más pequeños y con menor consumo y coste.
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