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2007/12/08

Nuevo transistor 3D que alcanzaría los 50 GHz

Fuente: tecnyo.

La noticia llega de la empresa japonesa Unisantis que ha anunciado recientemente la creación y comercialización de un nuevo tipo de transistores diseñados de tal forma que lograrían multiplicar por 10 las actuales frecuencias de trabajo de los microprocesadores, llegando al entorno de los 50 GHz.

La culpa de todo esto la tiene el llamado “Surrounding Gate Transistor”, un dispositivo que ha sido desarrollado en colaboración con el Instituto de Microelectrónica de Singapur, y que organiza los componentes del transistor en una estructura horizontal en 3 dimensiones en lugar de utilizar el diseño vertical usado en la actualidad. Las ventajas de esta estructura radican en que al reducir la distancia a recorrer por los electrones, genera menos calor, cuesta menos de producir y por supuesto aumenta su velocidad y rendimiento.Fujio Masuoka, CTO de Unisantis y uno de los inventores de la memoria flash es quien dirige el trabajo de 30 ingenieros y académicos. En palabras de Fujio:

El SGT permite mejorar el tamaño del transistor y la velocidad de procesamiento de los chips de nueva generación, necesarios para satisfacer la potencia exigida por los productos informáticos y redes de creciente complejidad

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